Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 8.2 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO252
ME15N10-G, SSD15N10, 15N10
